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標題: 高溫氧化六步成型 HTC One S外殼探秘 [打印本頁]

作者: ixcrtiwws5968 時間: 2013-2-21 12:19 標題: 高溫氧化六步成型 HTC One S外殼探秘

第一步：尋找一塊堅硬的固態鋁金屬，衝壓製成和手機尺寸相當的鋁金屬片；
第二步：通過壓力在固態鋁金屬片上壓出手機輪廓，就像汽車地盤切割前的底板一樣(這也是很多HTC手機一體成型手機必經步驟)；
第三步：將多餘的金屬邊緣切掉，剩下中間印有手機輪廓的部分，打磨光滑。
第四步：在在金屬面板上打孔；
第五步：One S外殼基本成型，細微加工，為主板上元件突出留出空間，比如攝像頭等；
第六步：使用Micro Arc Oxidation技術加工，在高電壓帶來的瞬間高溫下，在鋁金屬表面生長出以金屬氧化物為主的陶瓷膜層。

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